中霖中科生产各种（0.25t/h-100t/h）水处理设备，除氟除砷设备，反渗透纯水设备，超滤设备，软化水设备，离子交换设备，电除盐设备，杀菌设备及各种灌装设备，可根据用户实际情况进行设计，保证同等产品、同等配置、价位最低，设备运行可靠，确保产品水符合国家用水标准。
硅材料硅产品清洗超纯水设备
微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。所以单晶硅/多晶硅/硅材料/太阳能电池硅片、半导体器件生产中必须用超纯水，目前制取超纯水工艺可分为反渗透 混床超纯水设备，二是反渗透 edi超纯水设备，这是两种制取超纯水设备常用的工艺。
超纯水主要用于清洗硅片，另有少量用于药液配制，硅片氧化的水汽源，部分设备的冷却水，配制电镀液等。水中的碱金属（k、na等）会使绝缘膜耐压不良，重金属（au、ag、cu等）会使pn结耐压降低，iii族元素（b、al、ga等）会使n型半导体特性恶化，v族素（p、as、sb等）会使p型半导体特性恶化，水中细菌高温碳化后的磷（约占灰分的20%~50%）会使p型硅片上的局部区域变化为n型硅而导致器件性能变坏。水中的颗粒（包括细菌）如吸附在硅片表面，就会引起电路短路或特性变差。
硅材料硅产品清洗超纯水设备参数
进水口径
| 产水量
| 工作压力
| 功率
| 电导率
| 脱盐率
|
| 40（mm） | 3t/h
| 290（psi）
| 5.5（w）
| 0.055us/cm
| 99.9%（%）
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